碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，它也成为目前发展较为成熟的碳化硅半导体器件。那么与普通硅比起来，采用碳化硅的元器件都有哪些特点和属性呢？接下来碳化硅厂家东森冶金跟大家简单聊聊。

　　首先，碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍，碳化硅肖特基管耐压可达2400V。碳化硅场效应管耐压可达数万伏，且通态电阻并不很大。

　　其次，在Si材料已经接近理论性能极限的今天，SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性，一直被视为“理想器件”而备受期待。然而，相对于以往的Si材质器件，SiC功率器件在性能与成本间的平衡以及其对高工艺的需求，将成为SiC功率器件能否真正普及的关键。值得一提的是，目前，低功耗的碳化硅器件已经从实验室进入了实用器件生产阶段。

　　碳化硅厂家东森冶金告诉大家，由于碳化硅器件本身发热量小，因而碳化硅器件的导热性能极优。

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